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常规激光切割CVD方法分析
【 来源:原创 】 【 发布时间:2016-05-26 】 【 字体:

CVD激光切割技术过程的沉积温度可高达1500K,这影响半导体掺杂物的扩散系数继而影响半导体薄膜的质量。此外,激光切割CVD腔体中可能存在的污染物或晶片材料也可向高温下生长的薄膜中扩散。由于沉积复合半导体薄膜的不同供体的挥发物质不同,其激光切割机在高温下薄膜沉积中将蒸发的量亦不同,因而会影响薄膜的性能。常规激光切割CVD方法在高温下对晶片产生的物理损伤也会引起器件缺陷。另外,激光切割机长时高温暴露几乎对所有基材材料都是有害的。例如,用于航空航天的钛合金由于晶粒长大,性能会大为下降。激光切割机用于汽车工业的铁合金也会因晶粒长大和晶界扩散而产生性能降低。


 

添加时间:2016-05-26  浏览次数:857



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